?我們在應用或維修變頻器時當電源線都接通后，經常會遇到一開機就炸機；而變頻器里面最脆弱價格也最高的是IGBT模塊。那我們該如何防止呢？今天我們就來講講

眾所周知，IGBT單管是非常脆弱的。具有相同電流容量的IGBT單管比具有相同電流容量的MOSFET更脆弱。換句話說，變頻器H橋中的MOSFET沒有問題，但IGBT在開啟和加載時可能會爆炸。很多人可能對此有深刻的理解。一些朋友可能會認為，irfp460、20A/500V MOSFET和sgh40n60ufd、40A/600V IGBT應該足以防止爆炸，但實際情況是，在突然添加和移除負載后，機器可能會爆炸。通過不斷的實踐發現，只要遵循特定的規律，就可以完全防止飛機爆炸的發生。也就是說，峰值電流保護措施可以防止IGBT爆炸。我們可以從幾個方面來解決這個問題：1。驅動電路；2.當前收集；3.保護機制；1、 這次使用的IGBT是IXYS，ixgh48n60b3d1。具體規格如下：ixgh48n60b3d1 驅動電路如下：

這是一個非常典型的應用電路，可以用于IGBT或MOSFET，但也有一些不同。1.有一個負壓產生回路，2。隔離驅動器，3。獨立電源。首先，讓我們來概括一下。該電路沒有保護，100%用于逆變器，但我們可以理解該電路的本質。讓我們先談談要點：1。行駛阻力R2在行駛過程中非常重要。圖中，當D1閉合時，讓IGBT的CGE快速放電。實際上，根據需要，也可以省略D1，或者在D1電路中串聯一個電阻，以在0ff閉合時產生柵極電阻。以下是一些波形照片。不同柵極電阻和高壓HV+400V共同工作時，上下IGBT柵極的實際情況。 

上圖顯示了當負壓被取消，柵極電阻為10R時，上下管之間的柵極波形。上圖是測量不帶dc400v的2根管子的g極波形，下圖是dc400v下2根管子的柵格波形。為什么在第二張圖片中有一個尖峰。這應該從IGBT的內部情況開始。簡而言之，IGBT的Ge上有一個寄生電容，它與CGC的另一個寄生電容QG一起形成一個水池。事實上，這也與MOSFET非常相似。那么，讓我們看看為什么增加400V電壓會在較低的管子上產生G級峰值。借花供佛，抓圖說明：

如上圖所示，當上管打開時，此時將其切斷。由于上管已打開，此時應引入DV/dt的概念。這更抽象。先別理它。以一種簡單而流行的方式，當上管接通時，上管相當于一個直通，立即將+dc400v電壓加到下管的C級，這樣的高電壓立即從IGBT的寄生電容中產生感應電流，感應電流按上圖中的公式計算。在RG電阻和驅動內阻的共同作用下，該電流在下管的柵極上形成峰值電壓，如上面示波器的屏幕截圖所示。到目前為止，米勒電容器的概念還沒有被引入。了解這些之后，就更容易理解米勒電容器是什么，以及它如何影響電路。這個峰值有很多缺點。從上面示波器的屏幕截圖可以看出，在峰值時刻，下管實際上已經達到了7V的電壓，也就是說，在峰值的這段時間內，上下管連接在一起。下管的傳導時間很短，但由于噸的時間關系，電流不會太大。管道不會爆炸，但會產生熱量。隨著傳輸功率的增加，這種情況將變得更加嚴重，并極大地影響效率。二、電流采集電路，當涉及到這一步時，它離保護不遠。我的經驗是，電流采集速度應該很快，以便在過流或短路的情況下快速判斷以下電路->的情況。這里有個問題。讓IGBT快速安全地關閉。這個電路應該如何實現？對于逆變電路，我們可以直接使用電阻采樣或VCE管壓降檢測。在這個論壇上有很多關于管壓降檢測的討論，但沒有一個能夠真正使用、實際應用和測試（除了特殊的驅動芯片）。這是因為每個實際應用的參數都非常不同。例如，IGBT參數不同，需要調整的參數很多，需要一些經驗來調整。我們可以從最簡單的方法開始，用電阻來檢測電流。短路發生時，電阻上會產生電壓降。將電壓與比較器進行比較，以確定是否存在過電流或短路信號。使用這個圖表，因為原理很簡單。對于比較函數，每個人都很容易實現。可以調整的參數不多。 

上圖顯示了采樣H橋對地的電流。例如：如果IGBT是40a，我們可以獲得大約兩倍的峰值電流，即80A。與上圖相對應，RS為0.01r。如果流入的脈沖電流超過80A，電阻上將產生0.01r*80A=0.8V的電壓。R11和C11消隱后，電壓wi